2025年末，中國電子科技集團(tuán)公司第九研究所（又名：西南應(yīng)用磁學(xué)研究所（SIAM））在高性能弱磁場傳感器領(lǐng)域迎來里程碑式進(jìn)展——成功研制出我國首款MEMS磁通門傳感器工程化產(chǎn)品。MEMS磁通門作為一種高精度弱磁場傳感器，能夠感應(yīng)外界微弱的直流或低頻磁場，可廣泛應(yīng)用于弱磁探測、姿態(tài)測量/導(dǎo)航、電流檢測等領(lǐng)域。

關(guān)于中國電科第九研究所：該研究所位于四川省綿陽市，是全國唯一綜合性磁應(yīng)用技術(shù)研究所、中央事業(yè)單位、國家磁性材料及器件核心能力研制單位，承擔(dān)了國防電子裝備領(lǐng)域關(guān)鍵磁性元器件、微波毫米波器件等研發(fā)生產(chǎn)，是國內(nèi)唯一涵蓋磁性材料（永磁、旋磁、軟磁）及器件各專業(yè)領(lǐng)域的國家一類骨干研究所，技術(shù)成果和產(chǎn)品廣泛用于海、陸、空、天領(lǐng)域的國防技術(shù)裝備中，是國防工業(yè)中不可或缺的軍工科研力量。中國電科第九研究所于2016年加入中電科重慶聲光電磁子集團(tuán)。 

中國電科第九研究所研制的MEMS磁通門傳感器

MEMS磁通門傳感器項目啟動時，科研團(tuán)隊瞄準(zhǔn)微型化集成、薄膜磁心材料、MEMS制造工藝、測試優(yōu)化等科研難題，依托中國電科第九研究所的磁性微納工藝平臺，整合國內(nèi)行業(yè)優(yōu)勢資源。通過多重光刻與梯度電鍍技術(shù)、磁心圖案化設(shè)計與退火工藝的協(xié)同優(yōu)化等創(chuàng)新，歷經(jīng)數(shù)十輪工藝迭代，團(tuán)隊不斷突破工藝極限，成功攻克了薄膜磁心微米級定位、高可靠性超高厚度銅柱制備等關(guān)鍵技術(shù)難題。這使得MEMS磁通門傳感器尺寸縮小50%以上，器件性能躍升至全新高度，推動了高性能磁心的批量制造，實現(xiàn)了低噪聲、微型化MEMS磁通門傳感器在“產(chǎn)學(xué)研用”方面的深度融合。

中國電科第九研究所利用MEMS技術(shù)實現(xiàn)了磁傳感器核心部件的微型化加工，突破了從器件設(shè)計到材料制備等多項核心關(guān)鍵技術(shù)，成功研制出我國首款MEMS磁通門傳感器工程化產(chǎn)品。該產(chǎn)品有效解決了傳統(tǒng)高精度矢量傳感器存在的體積大、功耗高、集成度低等問題，其技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平。

展望未來，面向電子裝備集成化、智能化發(fā)展趨勢，中國電科第九研究所科研團(tuán)隊將深度挖掘并響應(yīng)磁傳感應(yīng)用各細(xì)分領(lǐng)域的核心需求，著力突破專用接口芯片、智能算法等關(guān)鍵技術(shù)，提供定制化磁感知與探測解決方案，推動我國打造良性發(fā)展的高端磁傳感器核心材料、工藝、器件及應(yīng)用生態(tài)系統(tǒng)。